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NVBG040N120M3S

NVBG040N120M3S onsemi

NVBG040N120M3S-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 81600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+20.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details NVBG040N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NVBG040N120M3S nach Preis ab 20.73 EUR bis 48.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S ONSEMI 3933072.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 297W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22 EUR
50+21.59 EUR
100+21.16 EUR
250+20.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S ONSEMI 3933072.pdf Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+35.89 EUR
9+28.58 EUR
10+22 EUR
50+21.59 EUR
100+21.16 EUR
250+20.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.84 EUR
10+27.08 EUR
100+24.34 EUR
500+23.29 EUR
800+23.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
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Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 82084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.58 EUR
10+27.6 EUR
100+24.8 EUR
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.35 EUR
10+41.08 EUR
25+38.14 EUR
50+36.21 EUR
100+34.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.35 EUR
10+40.19 EUR
25+36.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+48.14 EUR
5+45.45 EUR
10+43.09 EUR
20+41.29 EUR
50+39.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVBG040N120M3S
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
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Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22 EUR
50+21.59 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+27.08 EUR
100+24.34 EUR
500+23.29 EUR
800+23.04 EUR
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NVBG040N120M3S
Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 82084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+38.58 EUR
10+27.6 EUR
100+24.8 EUR
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NVBG040N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+45.35 EUR
10+41.08 EUR
25+38.14 EUR
50+36.21 EUR
100+34.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVBG040N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+45.35 EUR
10+40.19 EUR
25+36.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVBG040N120M3S
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+48.14 EUR
5+45.45 EUR
10+43.09 EUR
20+41.29 EUR
50+39.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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