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NVBG080N120SC1

NVBG080N120SC1 onsemi

nvbg080n120sc1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 567 Stücke:
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Technische Details NVBG080N120SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1 onsemi nvbg080n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.86 EUR
10+15.16 EUR
100+11.98 EUR
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NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1 ON Semiconductor nvbg080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+29.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1 ONSEMI NVBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263HV-7
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.2 EUR
10+57.04 EUR
25+43.64 EUR
50+39.12 EUR
100+36.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVBG080N120SC1 ON Semiconductor nvbg080n120sc1-d.pdf
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 112 Stücke:
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