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NVBG160N120SC1

NVBG160N120SC1 onsemi

nvbg160n120sc1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NVBG160N120SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nvbg160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1 Hersteller : onsemi nvbg160n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NVBG160N120SC1 Hersteller : ONSEMI nvbg160n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13.7A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVBG160N120SC1 Hersteller : ONSEMI nvbg160n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13.7A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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