NVBGS4D1N15MC ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 22.25 EUR |
| 10+ | 19.35 EUR |
| 25+ | 18.38 EUR |
| 50+ | 16.51 EUR |
| 100+ | 14.61 EUR |
| 250+ | 13.71 EUR |
| 500+ | 12.22 EUR |
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Technische Details NVBGS4D1N15MC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 316W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NVBGS4D1N15MC nach Preis ab 12.22 EUR bis 30.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NVBGS4D1N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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NVBGS4D1N15MC | Hersteller : onsemi |
MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free) |
auf Bestellung 1328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVBGS4D1N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVBGS4D1N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVBGS4D1N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVBGS4D1N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NVBGS4D1N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
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NVBGS4D1N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
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