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Technische Details NVBLS1D5N10MCTXG onsemi
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 331W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVBLS1D5N10MCTXG nach Preis ab 6.14 EUR bis 11.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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NVBLS1D5N10MCTXG | Hersteller : onsemi |
 Description: PTNG 100V STD TOLLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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NVBLS1D5N10MCTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NVBLS1D5N10MCTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVBLS1D5N10MCTXG | Hersteller : ON Semiconductor |
N-Channel Power Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVBLS1D5N10MCTXG | Hersteller : ONSEMI |
NVBLS1D5N10MCTXG SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVBLS1D5N10MCTXG | Hersteller : onsemi |
Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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