Produkte > ONSEMI > NVBLS4D0N15MC
NVBLS4D0N15MC

NVBLS4D0N15MC onsemi


nvbls4d0n15mc-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+13.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVBLS4D0N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 187A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 316W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 316W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm.

Weitere Produktangebote NVBLS4D0N15MC nach Preis ab 14.38 EUR bis 25.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NVBLS4D0N15MC NVBLS4D0N15MC Hersteller : onsemi nvbls4d0n15mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25604 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+25.61 EUR
10+ 21.96 EUR
100+ 18.3 EUR
500+ 16.15 EUR
1000+ 14.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NVBLS4D0N15MC NVBLS4D0N15MC Hersteller : onsemi NVBLS4D0N15MC_D-2319809.pdf MOSFET PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+25.79 EUR
10+ 22.1 EUR
25+ 21.5 EUR
100+ 18.43 EUR
250+ 18.12 EUR
500+ 16.25 EUR
1000+ 14.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3
NVBLS4D0N15MC NVBLS4D0N15MC Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0010296065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBLS4D0N15MC NVBLS4D0N15MC Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0010296065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVBLS4D0N15MC Hersteller : ON Semiconductor nvbls4d0n15mc-d.pdf
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVBLS4D0N15MC NVBLS4D0N15MC Hersteller : ON Semiconductor nvbls4d0n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS4D0N15MC NVBLS4D0N15MC Hersteller : ON Semiconductor nvbls4d0n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVBLS4D0N15MC NVBLS4D0N15MC Hersteller : ON Semiconductor nvbls4d0n15mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Produkt ist nicht verfügbar