NVBLS4D0N15MC onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 17.04 EUR |
| 10+ | 12.37 EUR |
| 100+ | 10.77 EUR |
| 1000+ | 9.43 EUR |
| 2000+ | 9.13 EUR |
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Technische Details NVBLS4D0N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 187A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 316W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 316W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVBLS4D0N15MC nach Preis ab 10.32 EUR bis 17.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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NVBLS4D0N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVBLS4D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVBLS4D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 316W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVBLS4D0N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVBLS4D0N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVBLS4D0N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
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NVBLS4D0N15MC | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVBLS4D0N15MC | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVBLS4D0N15MC | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 158W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 90.4nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.4mΩ Drain current: 187A Pulsed drain current: 900A Drain-source voltage: 150V Gate-source voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |