NVD5C434NT4G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.81 EUR |
| 500+ | 3.67 EUR |
| 1000+ | 3.49 EUR |
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Technische Details NVD5C434NT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVD5C434NT4G nach Preis ab 2.98 EUR bis 6.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVD5C434NT4G | onsemi |
MOSFETs T6 40V SL IN DPAK |
auf Bestellung 2309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C434NT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5C434NT4G | ON Semiconductor |
MOSFET T6 40V SL IN DPAK |
auf Bestellung 3654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NVD5C434NT4G | ON Semiconductor |
auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVD5C434NT4G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 40V SL IN DPAK
MOSFETs T6 40V SL IN DPAK
auf Bestellung 2309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.24 EUR |
| 10+ | 4.16 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| 500+ | 3.36 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| 2500+ | 2.98 EUR |
| NVD5C434NT4G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.32 EUR |
| 50+ | 4.69 EUR |
| 100+ | 3.59 EUR |
| 500+ | 3.17 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
| NVD5C434NT4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET T6 40V SL IN DPAK
MOSFET T6 40V SL IN DPAK
auf Bestellung 3654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| NVD5C434NT4G |
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)