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NVD5C446NT4G

NVD5C446NT4G onsemi

nvd5c446n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NVD5C446NT4G onsemi

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G Hersteller : onsemi nvd5c446n-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G Hersteller : onsemi NVD5C446N_D-2319753.pdf MOSFET T6 40V SL DPAK
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500+ 2.94 EUR
1000+ 2.54 EUR
2500+ 2.42 EUR
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NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G Hersteller : ONSEMI nvd5c446n-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVD5C446NT4G NVD5C446NT4G Hersteller : ONSEMI nvd5c446n-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVD5C446NT4G Hersteller : ON Semiconductor nvd5c446n-d.pdf
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