NVD5C478NT4G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.54 EUR |
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Technische Details NVD5C478NT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 30W, SVHC: Lead (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm.
Weitere Produktangebote NVD5C478NT4G nach Preis ab 2.02 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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NVD5C478NT4G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0084 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm |
auf Bestellung 406 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVD5C478NT4G | ON Semiconductor |
MOSFET T6 40V DPAK EXP |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVD5C478NT4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.09 EUR |
| 76+ | 3.06 EUR |
| 106+ | 2.02 EUR |
| NVD5C478NT4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET T6 40V DPAK EXP
MOSFET T6 40V DPAK EXP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)