NVDSH50120C onsemi
Hersteller: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 41.23 EUR |
| 30+ | 27.47 EUR |
| 120+ | 27.35 EUR |
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Technische Details NVDSH50120C onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 53A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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NVDSH50120C | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVDSH50120C | ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.75V Load current: 53A Max. off-state voltage: 1.2kV Application: automotive industry Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode |
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| NVDSH50120C |
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Hersteller: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
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| NVDSH50120C |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 53A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.75V
Load current: 53A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
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