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NVE4153NT1G

NVE4153NT1G

NTA4153N_D-2318727.pdf
Produktcode: 183802
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Hersteller:
Gehäuse: SC-89
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Idd, A: 0,915 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 230 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVE4153NT1G NVE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
15000+0.27 EUR
21000+0.26 EUR
30000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NVE4153NT1G NVE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf MOSFETs NFET SC89 20V 915MA 230MO
auf Bestellung 5872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.82 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NVE4153NT1G NVE4153NT1G onsemi nta4153n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 54376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NVE4153NT1G NVE4153NT1G ONSEMI nta4153n-d.pdf Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.51 EUR
234+0.99 EUR
341+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
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NVE4153NT1G NVE4153NT1G ONSEMI nta4153n-d.pdf Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.51 EUR
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auf Bestellung 70 Stücke:
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NVE4153NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 51000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.32 EUR
6000+0.3 EUR
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NVE4153NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SC89 20V 915MA 230MO
auf Bestellung 5872 Stücke:
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NVE4153NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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NVE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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234+0.99 EUR
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NVE4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
166+1.51 EUR
234+0.99 EUR
341+0.63 EUR
500+0.49 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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