NVE4153NT1G
Produktcode: 183802
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: SC-89
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,915 A
Rds(on), Ohm: 230 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/
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Weitere Produktangebote NVE4153NT1G nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NVE4153NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVE4153NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SC89 20V 915MA 230MO |
auf Bestellung 5872 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVE4153NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 54376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVE4153NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 26V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVE4153NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 26V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 915mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVE4153NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |