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NVF2955T1G

NVF2955T1G onsemi

ntf2955-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NVF2955T1G onsemi

Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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NVF2955T1G NVF2955T1G Hersteller : onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVF2955T1G NVF2955T1G Hersteller : ONSEMI NTF2955.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 154mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+2.03 EUR
53+ 1.37 EUR
75+ 0.96 EUR
79+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NVF2955T1G NVF2955T1G Hersteller : ONSEMI NTF2955.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 154mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
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53+ 1.37 EUR
75+ 0.96 EUR
79+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 36
NVF2955T1G NVF2955T1G Hersteller : onsemi NTF2955_D-2318911.pdf MOSFET PFET SOT223 60V 2.6A 140M
auf Bestellung 11713 Stücke:
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25+ 2.14 EUR
100+ 1.71 EUR
500+ 1.47 EUR
1000+ 1.18 EUR
2000+ 1.12 EUR
5000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NVF2955T1G NVF2955T1G Hersteller : ONSEMI ntf2955-d.pdf Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVF2955T1G NVF2955T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.3W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVF2955T1G NVF2955T1G Hersteller : ON Semiconductor ntf2955-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVF2955T1G Hersteller : ON-Semicoductor ntf2955-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20