NVF2955T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 0.85 EUR |
| 2000+ | 0.78 EUR |
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Technische Details NVF2955T1G onsemi
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVF2955T1G nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NVF2955T1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M |
auf Bestellung 11119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVF2955T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A On-state resistance: 154mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NVF2955T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A On-state resistance: 154mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
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NVF2955T1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVF2955T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVF2955T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVF2955T1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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