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NVF2955T1G

NVF2955T1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NVF2955T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 685 Stücke:
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182+0.95 EUR
184+0.92 EUR
187+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 685 Stücke:
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179+0.96 EUR
182+0.92 EUR
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NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
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NVF2955T1G NVF2955T1G ONSEMI NTF2955.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 14.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
auf Bestellung 660 Stücke:
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54+1.59 EUR
68+1.26 EUR
82+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
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NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1190 Stücke:
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67+2.59 EUR
96+1.77 EUR
141+1.18 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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NVF2955T1G NVF2955T1G ON Semiconductor ntf2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.59 EUR
96+1.74 EUR
141+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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NVF2955T1G NVF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M
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2+3.31 EUR
10+1.58 EUR
100+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVF2955T1G NVF2955T1G onsemi ntf2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 744 Stücke:
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7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
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NVF2955T1G NVF2955T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
105+2.21 EUR
158+1.36 EUR
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NVF2955T1G NVF2955T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
105+2.21 EUR
158+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVF2955T1G ON-Semiconductor ntf2955-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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NVF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.88 EUR
2000+0.8 EUR
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NVF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 685 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
182+0.95 EUR
184+0.92 EUR
187+0.89 EUR
250+0.86 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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NVF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
179+0.96 EUR
182+0.92 EUR
184+0.87 EUR
187+0.82 EUR
250+0.77 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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NVF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
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576+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
10000+0.89 EUR
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NVF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223
On-state resistance: 154mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Gate charge: 14.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+1.59 EUR
68+1.26 EUR
82+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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NVF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.98 EUR
250+1.01 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVF2955T1G ntf2955d.pdf
NVF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.59 EUR
96+1.77 EUR
141+1.18 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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NVF2955T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+2.59 EUR
96+1.74 EUR
141+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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NVF2955T1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M
auf Bestellung 7776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.31 EUR
10+1.58 EUR
100+1.29 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVF2955T1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.37 EUR
10+2.14 EUR
50+1.61 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF2955T1G ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.72 EUR
105+2.21 EUR
158+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF2955T1G ONSM-S-A0013670027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVF2955T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.72 EUR
105+2.21 EUR
158+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF2955T1G ntf2955-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH