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NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G onsemi

ntf3055l108-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details NVF3055L108T1G onsemi

Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1000+0.93 EUR
3000+0.86 EUR
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NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf MOSFETs NFET 60V 3A 0.120R
auf Bestellung 11438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.87 EUR
10+1.82 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 1047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
130+1.78 EUR
153+1.4 EUR
200+1.14 EUR
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NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 947 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.82 EUR
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500+0.94 EUR
1000+0.8 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
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Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14853 Stücke:
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NVF3055L108T1G
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Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 1047 Stücke:
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130+1.78 EUR
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NVF3055L108T1G ONSM-S-A0013670114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVF3055L108T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 2.1W
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Bauform - Transistor: SOT-223
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
auf Bestellung 947 Stücke:
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79+3.18 EUR
129+1.81 EUR
152+1.42 EUR
200+1.15 EUR
500+0.9 EUR
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