Produkte > ONSEMI > NVF3055L108T1G
NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G onsemi

ntf3055l108-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVF3055L108T1G onsemi

Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NVF3055L108T1G nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.93 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ON Semiconductor ntf3055l108-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf MOSFETs NFET 60V 3A 0.120R
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.62 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ONSEMI ONSM-S-A0013670114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
123+1.75 EUR
200+1.24 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G ONSEMI ntf3055l108-d.pdf Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
115+2.02 EUR
136+1.58 EUR
200+1.3 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NVF3055L108T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.93 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NVF3055L108T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NVF3055L108T1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET 60V 3A 0.120R
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.64 EUR
10+1.62 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NVF3055L108T1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.83 EUR
12+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G ONSM-S-A0013670114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVF3055L108T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.15 EUR
123+1.75 EUR
200+1.24 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF3055L108T1G ntf3055l108-d.pdf
NVF3055L108T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.55 EUR
115+2.02 EUR
136+1.58 EUR
200+1.3 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH