Produkte > ONSEMI > NVF6P02T3G
NVF6P02T3G

NVF6P02T3G onsemi

ntf6p02t3-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.73 EUR
8000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVF6P02T3G onsemi

Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NVF6P02T3G nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVF6P02T3G NVF6P02T3G onsemi ntf6p02t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
11+1.75 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G NVF6P02T3G onsemi ntf6p02t3-d.pdf MOSFETs POWER MOSFET
auf Bestellung 4032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+1.88 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.85 EUR
4000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G NVF6P02T3G ONSEMI ntf6p02t3-d.pdf Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G NVF6P02T3G ONSEMI ntf6p02t3-d.pdf Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G ON Semiconductor ntf6p02t3-d.pdf
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 28208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.75 EUR
11+1.75 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Hersteller: onsemi
MOSFETs POWER MOSFET
auf Bestellung 4032 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.94 EUR
10+1.88 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.85 EUR
4000+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NVF6P02T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH