NVF6P02T3G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
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Technische Details NVF6P02T3G onsemi
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 8.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 8.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVF6P02T3G nach Preis ab 1.22 EUR bis 3.17 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NVF6P02T3G | Hersteller : onsemi | MOSFET POWER MOSFET |
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NVF6P02T3G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V |
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NVF6P02T3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 8.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NVF6P02T3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 8.3W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVF6P02T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 1204 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVF6P02T3G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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