NVH4L022N120M3S onsemi
Hersteller: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 76.06 EUR |
| 30+ | 52.09 EUR |
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Technische Details NVH4L022N120M3S onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote NVH4L022N120M3S nach Preis ab 52.13 EUR bis 96.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVH4L022N120M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Single Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVH4L022N120M3S | onsemi |
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L |
auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVH4L022N120M3S |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 78.77 EUR |
| 5+ | 64.78 EUR |
| 10+ | 52.13 EUR |
| NVH4L022N120M3S |
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Hersteller: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 96.26 EUR |
| 10+ | 89.32 EUR |
| 25+ | 87.44 EUR |
| 50+ | 86.26 EUR |
| 100+ | 81.96 EUR |
| 450+ | 78.85 EUR |