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NVH4L022N120M3S

NVH4L022N120M3S onsemi

nvh4l022n120m3s-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
auf Bestellung 246803 Stücke:
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Technische Details NVH4L022N120M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA, Power Dissipation (Max): 352W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S ONSEMI 3772051.pdf Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
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NVH4L022N120M3S NVH4L022N120M3S onsemi NVH4L022N120M3S_D-2583680.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.26 EUR
10+89.32 EUR
25+87.44 EUR
50+86.26 EUR
100+81.96 EUR
450+78.85 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L022N120M3S - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
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NVH4L022N120M3S nvh4l022n120m3s-d.pdf
Hersteller: ONN
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