Produkte > ONSEMI > NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1

NVH4L040N120SC1 onsemi


nvh4l040n120sc1-d.pdf Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.52 EUR
10+30.43 EUR
30+28.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVH4L040N120SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NVH4L040N120SC1 nach Preis ab 24.94 EUR bis 31.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 Hersteller : onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 128921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.35 EUR
30+26.34 EUR
120+24.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 Hersteller : ONSEMI NVH4L040N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nvh4l040n120sc1-d.pdf
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nvh4l040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L040N120SC1 Hersteller : ONSEMI nvh4l040n120sc1-d.pdf NVH4L040N120SC1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH