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NVHL040N120SC1

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Produktcode: 190306
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.61 EUR
10+36.76 EUR
120+32.93 EUR
510+32.52 EUR
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ONSEMI ONSM-S-A0015182074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.54 EUR
10+43.89 EUR
50+42.07 EUR
100+40.22 EUR
250+38.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.58 EUR
30+32.5 EUR
120+28.61 EUR
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+52.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
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4+52.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVHL040N120SC1 ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf
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NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+27.83 EUR
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NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 440 Stücke:
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NVHL040N120SC1
Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 205 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+49.61 EUR
10+36.76 EUR
120+32.93 EUR
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NVHL040N120SC1 ONSM-S-A0015182074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVHL040N120SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+50.58 EUR
30+32.5 EUR
120+28.61 EUR
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NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 354 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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