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NVHL040N120SC1

NVHL040N120SC1 ON Semiconductor

nvhl040n120sc1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details NVHL040N120SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 Hersteller : onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 Hersteller : onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nvhl040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0015182074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NVHL040N120SC1
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