NVHL060N090SC1 ON Semiconductor
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Technische Details NVHL060N090SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVHL060N090SC1 nach Preis ab 46.98 EUR bis 71.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NVHL060N090SC1 | Hersteller : onsemi |
Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V |
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NVHL060N090SC1 | Hersteller : onsemi |
 MOSFET 60MOHM |
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NVHL060N090SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.043 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVHL060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVHL060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101 |
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NVHL060N090SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
SiC Power, Single N-Channel 900 V, 60 m, 46 A |
Produkt ist nicht verfügbar |