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NVHL080N120SC1

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Produktcode: 178409
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Transistoren > MOSFET N-CH

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NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nvhl080n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Hersteller : onsemi nvhl080n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Hersteller : onsemi nvhl080n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
auf Bestellung 1182 Stücke:
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1+24.32 EUR
10+17.56 EUR
120+16.6 EUR
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NVHL080N120SC1 NVHL080N120SC1 Hersteller : ONSEMI NVHL080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85413000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NVHL080N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nvhl080n120sc1-d.pdf
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