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NVJD4401NT1G

NVJD4401NT1G ONSEMI

2160754.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details NVJD4401NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 550mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 550mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G onsemi ntjd4401n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
auf Bestellung 2958 Stücke:
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13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
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NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G ONSEMI 2160754.pdf Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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123+2.03 EUR
267+0.87 EUR
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NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G onsemi ntjd4401n-d.pdf MOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
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10+1.49 EUR
100+0.93 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.42 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
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NVJD4401NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
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