Produkte > ONSEMI > NVJD5121NT1G
NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G onsemi

ntjd5121n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVJD5121NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote NVJD5121NT1G nach Preis ab 0.072 EUR bis 0.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
727+0.2 EUR
1204+0.12 EUR
1216+0.11 EUR
1266+0.1 EUR
1323+0.095 EUR
1384+0.087 EUR
1450+0.079 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 727
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Hersteller : onsemi NTJD5121N_D-1814098.pdf MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
auf Bestellung 27040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.43 EUR
11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Hersteller : onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
57+0.31 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G Hersteller : Aptina Imaging ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1698+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 1698
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G Hersteller : ONSEMI ntjd5121n-d.pdf NVJD5121NT1G Multi channel transistors
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
210+0.34 EUR
380+0.19 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 210
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH