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NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NVJD5121NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.17 EUR
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
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632+0.27 EUR
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1153+0.13 EUR
1270+0.12 EUR
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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363+0.24 EUR
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
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5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4870 Stücke:
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265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
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NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4870 Stücke:
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265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
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NVJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
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NVJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
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NVJD5121NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6000+0.14 EUR
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NVJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
632+0.27 EUR
1043+0.17 EUR
1054+0.15 EUR
1153+0.13 EUR
1270+0.12 EUR
1413+0.1 EUR
1595+0.087 EUR
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NVJD5121NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.212A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.32 EUR
321+0.26 EUR
363+0.24 EUR
511+0.17 EUR
610+0.14 EUR
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3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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NVJD5121NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
auf Bestellung 57176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
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NVJD5121NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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NVJD5121NT1G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVJD5121NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1029+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
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NVJD5121NT1G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVJD5121NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
265+0.94 EUR
433+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1029+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 265 Stücke
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