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NVMFD5C446NLT1G

NVMFD5C446NLT1G onsemi

nvmfd5c446nl-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVMFD5C446NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G ONSEMI 2571962.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G onsemi nvmfd5c446nl-d.pdf MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.62 EUR
100+4.11 EUR
500+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G ONSEMI 2571962.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
37+6.35 EUR
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1G NVMFD5C446NLT1G onsemi nvmfd5c446nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.47 EUR
10+6.3 EUR
100+4.5 EUR
500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFD5C446NLT1G 2571962.pdf
NVMFD5C446NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
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NVMFD5C446NLT1G
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MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
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1+8.9 EUR
10+5.62 EUR
100+4.11 EUR
500+4.02 EUR
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NVMFD5C446NLT1G 2571962.pdf
NVMFD5C446NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C446NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.12 EUR
37+6.35 EUR
100+4.95 EUR
500+4.69 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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NVMFD5C446NLT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.47 EUR
10+6.3 EUR
100+4.5 EUR
500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C446NLT1G nvmfd5c446nl-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH