NVMFD5C650NLWFT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 1500+ | 3.75 EUR |
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Technische Details NVMFD5C650NLWFT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NVMFD5C650NLWFT1G nach Preis ab 3.78 EUR bis 9.43 EUR
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NVMFD5C650NLWFT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2546pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFD5C650NLWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD5C650NLWFT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 111 A, 111 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 111A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFD5C650NLWFT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET T6 60V LL S08FL DS |
auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFD5C650NLWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
NVMFD5C650NLWFT1G SMD N channel transistors |
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