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NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G onsemi

nvmfd5c680nl-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVMFD5C680NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 19W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 19W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NVMFD5C680NLT1G nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G ONSEMI 2571969.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
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rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
128+1.68 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G onsemi 705253DA0F53155D9DB04EADEB42A4E60594EA6AE995AE91E1500BC377FCA3DB.pdf MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
10+2.09 EUR
100+1.62 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.48 EUR
1500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G ONSEMI 2571969.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
100+2.34 EUR
128+1.68 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G onsemi nvmfd5c680nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFD5C680NLT1G 2571969.pdf
NVMFD5C680NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
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2+2.81 EUR
10+2.09 EUR
100+1.62 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.48 EUR
1500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD5C680NLT1G 2571969.pdf
NVMFD5C680NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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74+3.4 EUR
100+2.34 EUR
128+1.68 EUR
500+1.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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NVMFD5C680NLT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NVMFD5C680NLT1G nvmfd5c680nl-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH