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NVMFD5C680NLT1G

NVMFD5C680NLT1G onsemi

nvmfd5c680nl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.2 EUR
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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Technische Details NVMFD5C680NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 19W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 19W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G Hersteller : onsemi NVMFD5C680NL_D-2319494.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 618-622 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.71 EUR
10+2.25 EUR
100+1.8 EUR
250+1.65 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.29 EUR
1500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G Hersteller : onsemi nvmfd5c680nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
10+2.27 EUR
100+1.6 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G Hersteller : ONSEMI 2571969.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVMFD5C680NLT1G NVMFD5C680NLT1G Hersteller : ONSEMI 2571969.pdf Description: ONSEMI - NVMFD5C680NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 19W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 19W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVMFD5C680NLT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfd5c680nl-d.pdf
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFD5C680NLT1G Hersteller : ONSEMI nvmfd5c680nl-d.pdf NVMFD5C680NLT1G SMD N channel transistors
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