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Technische Details NVMFD6H852NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 38W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 38W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NVMFD6H852NLT1G nach Preis ab 0.95 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DLPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
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NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET T8 80V LL SO8FL DS |
auf Bestellung 1158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFD6H852NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 25 A, 25 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 38W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 38W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2632 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
NVMFD6H852NLT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFD6H852NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
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