NVMFS040N10MCLT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 114+ | 2.2 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 246+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
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Technische Details NVMFS040N10MCLT1G ONSEMI
Description: PTNG 100V LL SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote NVMFS040N10MCLT1G nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVMFS040N10MCLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS040N10MCLT1G | onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NVMFS040N10MCLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: AEC-Q101
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Produktpalette: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 114+ | 2.2 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 246+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| NVMFS040N10MCLT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 2.43 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |