Produkte > ONSEMI > NVMFS4C01NT1G
NVMFS4C01NT1G

NVMFS4C01NT1G ONSEMI


2907472.pdf Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVMFS4C01NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 370A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 161W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm.

Weitere Produktangebote NVMFS4C01NT1G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Hersteller : onsemi NVMFS4C01N_D-2319496.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Hersteller : ONSEMI 2907472.pdf Description: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 560 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs4c01n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Hersteller : onsemi nvmfs4c01n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar
NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G Hersteller : onsemi nvmfs4c01n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Produkt ist nicht verfügbar