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Technische Details NVMFS4C05NWFT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 127A, Pulsed drain current: 174A, Power dissipation: 79W, Case: DFNW5, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NVMFS4C05NWFT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NVMFS4C05NWFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVMFS4C05NWFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVMFS4C05NWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 79W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVMFS4C05NWFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL |
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| NVMFS4C05NWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; Idm: 174A; 79W; DFNW5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 79W Case: DFNW5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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