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NVMFS5C404NT1G

NVMFS5C404NT1G onsemi

nvmfs5c404n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 49A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 378A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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Technische Details NVMFS5C404NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 378A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5C404NT1G NVMFS5C404NT1G onsemi NVMFS5C404N-D.PDF MOSFETs T6-40V N 0.7 MOHMS SL
auf Bestellung 1717 Stücke:
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10+8.48 EUR
100+6.53 EUR
500+6.5 EUR
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NVMFS5C404NT1G NVMFS5C404NT1G ONSEMI nvmfs5c404n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 378A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9829 Stücke:
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19+13.77 EUR
22+10.9 EUR
26+8.33 EUR
50+7.66 EUR
100+6.13 EUR
250+6 EUR
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NVMFS5C404NT1G NVMFS5C404NT1G ONSEMI nvmfs5c404n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NVMFS5C404NT1G
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Description: ONSEMI - NVMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 200W
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm
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