NVMFS5C420NLWFT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.27 EUR |
| 10+ | 4.8 EUR |
| 100+ | 3.4 EUR |
| 500+ | 2.8 EUR |
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Technische Details NVMFS5C420NLWFT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 277A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 146W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 146W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NVMFS5C420NLWFT1G nach Preis ab 2.46 EUR bis 5.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NVMFS5C420NLWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C420NLWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 146W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C420NLWFT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option |
auf Bestellung 10243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFS5C420NLWFT1G | Hersteller : onsemi |
Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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