Produkte > ONSEMI > NVMFS5C426NAFT1G
NVMFS5C426NAFT1G

NVMFS5C426NAFT1G onsemi


nvmfs5c426n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVMFS5C426NAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NVMFS5C426NAFT1G nach Preis ab 2.75 EUR bis 7.16 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : onsemi NVMFS5C426N_D-2319640.pdf MOSFET T6-D3F 40V NFET
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 484-488 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.37 EUR
10+4.51 EUR
25+4.26 EUR
100+3.63 EUR
250+3.43 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : onsemi nvmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.16 EUR
10+4.72 EUR
100+3.34 EUR
500+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs5c426n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : ONSEMI 2907475.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C426NAFT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs5c426n-d.pdf NVMFS5C426NAFT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH