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NVMFS5C460NLAFT1G

NVMFS5C460NLAFT1G ONSEMI


2907323.pdf Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details NVMFS5C460NLAFT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G Hersteller : ON Semiconductor NVMFS5C460NL-D-1388025.pdf MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
auf Bestellung 2002 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
NVMFS5C460NLAFT1G NVMFS5C460NLAFT1G Hersteller : ONSEMI 2907323.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C460NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NVMFS5C460NLAFT1G Hersteller : onsemi nvmfs5c460nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NVMFS5C460NLAFT1G Hersteller : onsemi nvmfs5c460nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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