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NVMFS5C612NLAFT1G

NVMFS5C612NLAFT1G onsemi


D5DF5BCEDE251FB824383D4AA2D29DFA677EB81568C6E158355169C002A8613D.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 60V
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Technische Details NVMFS5C612NLAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI 2907324.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2416 Stücke:
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NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI nvmfs5c612nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2456 Stücke:
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2416 Stücke:
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NVMFS5C612NLAFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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