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NVMFS5C612NWFT1G

NVMFS5C612NWFT1G ONSEMI

2913028.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.45 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details NVMFS5C612NWFT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5C612NWFT1G NVMFS5C612NWFT1G ONSEMI 2913028.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.29 EUR
44+5.38 EUR
100+4.63 EUR
500+4.28 EUR
1000+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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NVMFS5C612NWFT1G NVMFS5C612NWFT1G onsemi nvmfs5c612n-d.pdf MOSFETs 60V 225A 1.65mOhms
auf Bestellung 6811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+6.22 EUR
100+5.02 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS5C612NWFT1G NVMFS5C612NWFT1G onsemi nvmfs5c612n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
10+6.76 EUR
100+5.03 EUR
500+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NVMFS5C612NWFT1G 2913028.pdf
NVMFS5C612NWFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.29 EUR
44+5.38 EUR
100+4.63 EUR
500+4.28 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 225A 1.65mOhms
auf Bestellung 6811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.65 EUR
10+6.22 EUR
100+5.02 EUR
500+4.93 EUR
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Description: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.65 EUR
10+6.76 EUR
100+5.03 EUR
500+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH