NVMFS5C612NWFT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 8.29 EUR |
| 10+ | 6.96 EUR |
| 100+ | 5.63 EUR |
| 500+ | 5 EUR |
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Technische Details NVMFS5C612NWFT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00135ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVMFS5C612NWFT1G nach Preis ab 6.21 EUR bis 12.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NVMFS5C612NWFT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 60V 225A 1.65mOhms |
auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NVMFS5C612NWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C612NWFT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 167W Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C612NWFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C612NWFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C612NWFT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C612NWFT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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