NVMFS5C638NLT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.10 EUR |
| 10+ | 2.80 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
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Technische Details NVMFS5C638NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote NVMFS5C638NLT1G nach Preis ab 1.69 EUR bis 4.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN |
auf Bestellung 6245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVMFS5C638NLT1G транзистори Produktcode: 200475
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
NVMFS5C638NLT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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