NVMFS5C638NLT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 4.56 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.1 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
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Technische Details NVMFS5C638NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote NVMFS5C638NLT1G nach Preis ab 1.6 EUR bis 4.75 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN |
auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LP-454965-2P-3M | Hersteller : BAK TECHNOLOGY |
Description: BAK TECHNOLOGY - LP-454965-2P-3M - Akku, 3.7 V, Lithium-Ionen, 3 Ah, Steckverbinder, 1 tariffCode: 85076000 NEDA-Code: - rohsCompliant: NA Batteriekonformität: - Batterie-/Akkuspannung: 3.7V Batteriekapazität: 3Ah Batterie-/Akkutechnologie: Lithium-Ionen hazardous: true hazardCode: 3480 rohsPhthalatesCompliant: NA Batterietyp/-größe: - usEccn: EAR99 Außenbreite: 68mm Außentiefe: 50mm euEccn: NLR Batterie-/Akkugrößencode: - Menge pro Packung: 1 Außenhöhe: 9.5mm Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckverbinder Produktpalette: - productTraceability: No IEC-Code Batterie/Akku: - Gewicht: 58g SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NVMFS5C638NLT1G Produktcode: 204986
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Lieblingsprodukt
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Akkus > LiIon-Batterien |
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NVMFS5C638NLT1G транзистори Produktcode: 200475
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVMFS5C638NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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