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NVMFS5C638NLT1G транзистори

Produktcode: 200475
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.66 EUR
10+3.04 EUR
100+2.1 EUR
500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : onsemi 8F2081B0474F77A94CE2776A60AE620F6F8EEEE0BE5F507EA45148044DCBF6FD.pdf MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
auf Bestellung 3256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.7 EUR
10+3.08 EUR
100+2.13 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.61 EUR
1500+1.53 EUR
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : ONSEMI 2620021.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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LP-454965-2P-3M LP-454965-2P-3M Hersteller : BAK TECHNOLOGY 3667552.pdf Description: BAK TECHNOLOGY - LP-454965-2P-3M - Akku, 3.7 V, Lithium-Ionen, 3 Ah, Steckverbinder, 1
tariffCode: 85076000
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batteriekonformität: -
Batterie-/Akkuspannung: 3.7V
Batteriekapazität: 3Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Lithium-Ionen
hazardous: true
hazardCode: 3480
rohsPhthalatesCompliant: NA
Batterietyp/-größe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 68mm
Außentiefe: 50mm
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 9.5mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckverbinder
Produktpalette: -
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 58g
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : ONSEMI 2620021.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NVMFS5C638NLT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NVMFS5C638NLT1G
Produktcode: 204986
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nvmfs5c638nl-d.pdf Akkus > LiIon-Batterien
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
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NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Hersteller : onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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NVMFS5C638NLT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs5c638nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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XT60NE-F.G.B чорний роз'єм (Amass)
Produktcode: 204136
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XT60NE-F.G.B чорний роз'єм (Amass)
Hersteller: AMASS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама". Кількість контактів: 2. Монтаж на корпус "внутрішній", провід максимум 12AWG. Максимальний струм: 35A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту: IP40. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Вилка
Anzahl Kontakte: 2
Серія роз’єма: XT60
Монтаж: на корпус
auf Bestellung 337 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 8000 Stück:
2000 Stück - erwartet 24.01.2026
2000 Stück - erwartet 31.03.2026
4000 Stück - erwartet 03.04.2026
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Перемикач KCD1-4-201 (чорний корпус червоний перемикач)
Produktcode: 200768
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KCD1-4-201-datasheet.pdf
Перемикач KCD1-4-201 (чорний корпус червоний перемикач)
+2
Hersteller: Daier
Passive Bauelemente > Schalter, Schubschalter, Kippschalter (alle außer Knopf/Tasten)
Gruppe: Перемикач Rocker
Ausg. oder SMD : Клеми з отвором
Abmessungen: 21x15x28,4 mm
Beschreibung: Перемикач Rocker ON-OFF з фіксацією, 4 контакти, без підсвічування, на защіпках, колір чорний, червона клавіша. Монтажний отвір: 19,2x13 mm.
2
6 A / 250VAC
auf Bestellung 379 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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XT60EW-M.G.B з'єднувач (Amass)
Produktcode: 195470
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Amas-cat1.pdf
XT60EW-M.G.B з'єднувач (Amass)
+1
Hersteller: AMASS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єм живлення чорний DC герметичний на корпус. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 2. Провід максимум 12AWG. Максимальний струм: 35A. Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP65. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Розетка
Anzahl Kontakte: 2
Серія роз’єма: XT60
Монтаж: на корпус
auf Bestellung 25920 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20000 Stück:
20000 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XT60H-F
Produktcode: 179483
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Amas-cat1.pdf
XT60H-F
+1
Hersteller: AMASS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Роз'єми живлення жовтий DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 2. На провід максимум 12AWG. Максимальний струм: 35A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Stecker/Buchse: Вилка
Anzahl Kontakte: 2
Серія роз’єма: XT60
Монтаж: на провід
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 106082 Stück
60000 Stück - erwartet 03.04.2026
30000 Stück - erwartet 24.01.2026
15982 Stück - erwartet 22.01.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH