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NVMFS5H663NLT1G

NVMFS5H663NLT1G onsemi

nvmfs5h663nl-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1500+1.05 EUR
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Technische Details NVMFS5H663NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS5H663NLT1G NVMFS5H663NLT1G onsemi nvmfs5h663nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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11+1.94 EUR
100+1.51 EUR
500+1.27 EUR
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NVMFS5H663NLT1G NVMFS5H663NLT1G onsemi nvmfs5h663nl-d.pdf MOSFETs T8 60V LOW COSS
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2+3.28 EUR
10+2.12 EUR
100+1.38 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.01 EUR
1500+0.95 EUR
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NVMFS5H663NLT1G NVMFS5H663NLT1G ON Semiconductor NVMFS5H663NL-D-1814455.pdf MOSFET T8 60V LOW COSS
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NVMFS5H663NLT1G ON Semiconductor nvmfs5h663nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 16.2A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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167+1.01 EUR
168+0.96 EUR
196+0.8 EUR
250+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
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