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NVMFS6H800NT1G

nvmfs6h800n-d.pdf
Produktcode: 177250
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G onsemi nvmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G ONSEMI 2619990.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.95 EUR
500+5.55 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G onsemi nvmfs6h800n-d.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.9 EUR
10+6.31 EUR
100+5.57 EUR
500+5.15 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G onsemi nvmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.13 EUR
10+8.15 EUR
50+6.43 EUR
100+5.88 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G ONSEMI 2619990.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.34 EUR
33+7.24 EUR
100+5.95 EUR
500+5.55 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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NVMFS6H800NT1G nvmfs6h800n-d.pdf
NVMFS6H800NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFS6H800NT1G 2619990.pdf
NVMFS6H800NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.95 EUR
500+5.55 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H800NT1G nvmfs6h800n-d.pdf
NVMFS6H800NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.9 EUR
10+6.31 EUR
100+5.57 EUR
500+5.15 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H800NT1G nvmfs6h800n-d.pdf
NVMFS6H800NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.13 EUR
10+8.15 EUR
50+6.43 EUR
100+5.88 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H800NT1G 2619990.pdf
NVMFS6H800NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0021 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.34 EUR
33+7.24 EUR
100+5.95 EUR
500+5.55 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH