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NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G ON Semiconductor


nvmfs6h800n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NVMFS6H800NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : onsemi nvmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : onsemi NVMFS6H800N-D.PDF MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : onsemi nvmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : ONSEMI 2619990.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : ONSEMI 2619990.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NVMFS6H800NT1G
Produktcode: 177250
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nvmfs6h800n-d.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 100W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Power dissipation: 100W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
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NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 100W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 20A
Power dissipation: 100W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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