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NVMFS6H801NT1G

NVMFS6H801NT1G onsemi

nvmfs6h801n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+2.07 EUR
3000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details NVMFS6H801NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 166W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

Weitere Produktangebote NVMFS6H801NT1G nach Preis ab 2.26 EUR bis 8.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G ONSEMI 2620012.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G ONSEMI 2620012.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.45 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G onsemi NVMFS6H801N_D-2319870.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
auf Bestellung 3949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+4.13 EUR
100+3.42 EUR
250+3.39 EUR
500+2.93 EUR
1500+2.45 EUR
9000+2.26 EUR
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NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G onsemi nvmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.31 EUR
10+4.11 EUR
100+2.86 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G ONSEMI 2620012.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.45 EUR
46+5.11 EUR
100+3.45 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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NVMFS6H801NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NVMFS6H801NT1G 2620012.pdf
NVMFS6H801NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
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1500+2.45 EUR
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Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.31 EUR
10+4.11 EUR
100+2.86 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NVMFS6H801NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.45 EUR
46+5.11 EUR
100+3.45 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H801NT1G nvmfs6h801n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH