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NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G onsemi


NVMFS6H818N_D-2319954.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
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Technische Details NVMFS6H818NT1G onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5, Mounting: SMD, Drain current: 87A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: DFN5, On-state resistance: 3.7mΩ, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 68W, Gate charge: 46nC, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke.

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NVMFS6H818NT1G Hersteller : ON Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF
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NVMFS6H818NT1G Hersteller : On Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
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NVMFS6H818NT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5
Mounting: SMD
Drain current: 87A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5
On-state resistance: 3.7mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 68W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Hersteller : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
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NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Hersteller : onsemi NVMFS6H818N-D.PDF Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
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NVMFS6H818NT1G Hersteller : ONSEMI nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5
Mounting: SMD
Drain current: 87A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5
On-state resistance: 3.7mΩ
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 68W
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