Produkte > ONSEMI > NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G onsemi

nvmfs6h818n-d.pdf
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.07 EUR
10+4.14 EUR
100+3.75 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NVMFS6H818NWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote NVMFS6H818NWFT1G nach Preis ab 3.26 EUR bis 9.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G onsemi nvmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.21 EUR
10+5.41 EUR
50+4.2 EUR
100+3.82 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G ONSEMI 2571970.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G ONSEMI 2571970.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H818NWFT1G nvmfs6h818n-d.pdf
NVMFS6H818NWFT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.21 EUR
10+5.41 EUR
50+4.2 EUR
100+3.82 EUR
500+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H818NWFT1G 2571970.pdf
NVMFS6H818NWFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.84 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS6H818NWFT1G 2571970.pdf
NVMFS6H818NWFT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH