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|---|---|
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Technische Details NVMFS6H836NT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; Idm: 432A; 44W; DFN5, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 74A, Pulsed drain current: 432A, Power dissipation: 44W, Case: DFN5, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 25nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NVMFS6H836NT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NVMFS6H836NT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; Idm: 432A; 44W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 44W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NVMFS6H836NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN |
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NVMFS6H836NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN |
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| NVMFS6H836NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; Idm: 432A; 44W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 44W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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