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NVMFSC0D9N04C

NVMFSC0D9N04C onsemi

NVMFSC0D9N04C-D.PDF Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
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Technische Details NVMFSC0D9N04C onsemi

Description: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 313A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 690µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NVMFSC0D9N04C NVMFSC0D9N04C Hersteller : ONSEMI NVMFSC0D9N04C-D.PDF nvmfsc0d9n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 690 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NVMFSC0D9N04C NVMFSC0D9N04C Hersteller : ONSEMI NVMFSC0D9N04C-D.PDF Description: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 166W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 690µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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