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Technische Details NVMFSC0D9N04C onsemi
Description: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 690 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 313A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 166W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DUAL COOL, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 690µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVMFSC0D9N04C
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NVMFSC0D9N04C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 690 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 313A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 690µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NVMFSC0D9N04C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFSC0D9N04C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 690 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 313A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 166W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DUAL COOL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 690µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 690µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMFSC0D9N04C | Hersteller : ON Semiconductor | Description: 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL |
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NVMFSC0D9N04C | Hersteller : ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN |
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