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Technische Details NVMFWS004N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.
Weitere Produktangebote NVMFWS004N04XMT1G nach Preis ab 1.08 EUR bis 4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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NVMFWS004N04XMT1G | onsemi |
 MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWS004N04XMT1G | onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 |
auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWS004N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 38W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFWS004N04XMT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.06 EUR |
| 10+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| NVMFWS004N04XMT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.25 EUR |
| 11+ | 2.06 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| NVMFWS004N04XMT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 66A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 4 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 152+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |