NVMFWS1D1N04XMT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
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Technische Details NVMFWS1D1N04XMT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 233A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm.
Weitere Produktangebote NVMFWS1D1N04XMT1G nach Preis ab 1.51 EUR bis 6.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NVMFWS1D1N04XMT1G | onsemi |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
auf Bestellung 5721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWS1D1N04XMT1G | onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 |
auf Bestellung 674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWS1D1N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm |
auf Bestellung 1205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMFWS1D1N04XMT1G | ONN |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 5721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 3.22 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| 1500+ | 1.59 EUR |
| 3000+ | 1.51 EUR |
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.19 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 2.3 EUR |
| 500+ | 1.84 EUR |
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
auf Bestellung 1205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 42+ | 6.07 EUR |
| 64+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)