NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.19 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
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Technische Details NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NVMJS2D5N06CLTWG nach Preis ab 1.38 EUR bis 4.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVMJS2D5N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel |
auf Bestellung 5940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMJS2D5N06CLTWG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 8-LFPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMJS2D5N06CLTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 113W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMJS2D5N06CLTWG | ON Semiconductor |
MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVMJS2D5N06CLTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
MOSFETs 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
auf Bestellung 5940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| 3000+ | 1.38 EUR |
| NVMJS2D5N06CLTWG |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.71 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| NVMJS2D5N06CLTWG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 52+ | 4.9 EUR |
| 64+ | 3.64 EUR |
| 71+ | 3.02 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.19 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
| NVMJS2D5N06CLTWG |
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Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)