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NVMTS0D4N04CLTXG

NVMTS0D4N04CLTXG ON Semiconductor


nvmts0d4n04cl-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details NVMTS0D4N04CLTXG ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : onsemi nvmts0d4n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : onsemi NVMTS0D4N04CL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 553.8A, 0.4mohm
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NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : onsemi nvmts0d4n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : ON Semiconductor nvmts0d4n04cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 79.8A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R
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NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : ON Semiconductor nvmts0d4n04cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
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NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : ON Semiconductor nvmts0d4n04cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 79.8A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
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NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : ONSEMI nvmts0d4n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 553.8A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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NVMTS0D4N04CLTXG Hersteller : ONSEMI nvmts0d4n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 553.8A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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