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NVMTS0D6N04CTXG

NVMTS0D6N04CTXG onsemi

NVMTS0D6N04C_D-2319693.pdf Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
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Technische Details NVMTS0D6N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Hersteller : onsemi nvmts0d6n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Hersteller : ON Semiconductor on_semiconductor_onsm-s-a0008936118-1-1750414.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 378A, 0.48m
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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