NVMTS0D7N04CLTXG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: AFSM T6 40V LL NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 9.47 EUR |
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Technische Details NVMTS0D7N04CLTXG onsemi
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 570 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 512A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 205W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NVMTS0D7N04CLTXG nach Preis ab 10.11 EUR bis 17.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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NVMTS0D7N04CLTXG | Hersteller : onsemi |
Description: AFSM T6 40V LL NCH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMTS0D7N04CLTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 570 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 512A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMTS0D7N04CLTXG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 512 A, 570 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 512A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 205W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVMTS0D7N04CLTXG | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NVMTS0D7N04CLTXG | Hersteller : ONSEMI |
NVMTS0D7N04CLTXG SMD N channel transistors |
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