| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.45 EUR |
| 10+ | 11.44 EUR |
| 25+ | 10.86 EUR |
| 100+ | 9.53 EUR |
| 250+ | 9.42 EUR |
| 500+ | 9.07 EUR |
| 1000+ | 8.29 EUR |
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Technische Details NVMTS0D7N04CTXG onsemi
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 273W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm.
Weitere Produktangebote NVMTS0D7N04CTXG nach Preis ab 10.56 EUR bis 22.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NVMTS0D7N04CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 273W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm |
auf Bestellung 1210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVMTS0D7N04CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 430A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 273W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 273W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm |
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| NVMTS0D7N04CTXG | ONN |
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| NVMTS0D7N04CTXG |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 273W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 22.06 EUR |
| 13+ | 19.03 EUR |
| 15+ | 14.57 EUR |
| 50+ | 12.1 EUR |
| 100+ | 11.33 EUR |
| 250+ | 10.56 EUR |
| NVMTS0D7N04CTXG |
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Hersteller: ONSEMI
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Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
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| 13+ | 19.03 EUR |
| 15+ | 14.57 EUR |
| 50+ | 12.1 EUR |
| 100+ | 11.33 EUR |
| 250+ | 10.56 EUR |
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Hersteller: ONN
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